Ради экономии TSMC готова пойти на уменьшение количества слоёв с EUV в рамках 3-нм литографии

Представители TSMC не раз подчёркивали, что массовое производство 3-нм продукции будет развёрнуто во второй половине текущего года, и подготовка идёт по плану. Хорошо знакомая структура транзисторов FinFET позволит избежать сюрпризов, но количество слоёв, обрабатываемых при помощи EUV-литографии, придётся увеличить. Сейчас компания задумалась над тем, как ограничить их количество разумным числом.

Как поясняют тайваньские СМИ, растущая интенсивность использования литографических сканеров со сверхжёстким ультрафиолетовым излучением (EUV) увеличивает расходы TSMC, поскольку одна такая система стоит более $100 млн, а их приходится закупать десятками. По сути, TSMC сейчас покупает более половины всех EUV-сканеров, выпускаемых холдингом ASML. Растущие затраты неизбежно придётся перекладывать на себестоимость продукции и её отпускную стоимость для заказчиков. В рамках освоения 3-нм технологии TSMC пытается немного сэкономить, уменьшая количество слоёв полупроводниковых компонентов, изготавливаемых с использованием EUV.

Внедряя 7-нм техпроцесс, компания TSMC начала с четырёх слоёв, использующих EUV, следующим этапом стал 6-нм техпроцесс с пятью слоями, а к моменту освоения 5-нм технологии их количество выросло до 14 или 15 штук. Ожидается, что 3-нм техпроцесс может потребовать использования до 25 слоёв с EUV-литографией, и сейчас TSMC пытается сократить это количество до 20, чтобы снизить затраты и себестоимость продукции.шаблоны для dle 11.2