GlobalFoundries делает ставку на ReRAM

0
402
Технологии быстрой энергонезависимой памяти на сегодняшний день представлены преимущественно различными версиями NAND-микросхем, а также 3D XPoint. Но этим всё не ограничивается.

Компания GlobalFoundries сообщила о совместном проекте с Сингапурским технологическим университетом Nanyang и Национальным исследовательским фондом. В рамках соглашения планируется разработать коммерческую версию встраиваемой резистивной оперативной памяти или ReRAM. Как отмечается, работы займут четыре года и буду стоить 88 миллионов долларов.

Новая память должна лечь в основу кэша большого объёма и обеспечить высокую скорость обмена данными для тех чипов, где требуется быстрая и ёмкая. На текущий момент в этом качестве используется eFlash, однако такой тип памяти имеет ряд ограничений и сложностей в производстве. Альтернативой является магниторезистивная ОЗУ (MRAM), а также ReRAM.

Отметим, что такой тип памяти может использоваться не только в качестве встроенной ОЗУ. В Western Digital экспериментируют с ReRAM в качестве долговременного энергонезависимого хранилища по аналогии с Optane DC.

Появление коммерческих версий GlobalFoundries стоит ожидать только к середине десятилетия. Скорее всего, вариант WD появится примерно тогда же.шаблоны для dle 11.2

Понравиласть статья? Жми лайк или расскажи своим друзьям!
Теги к новости:
Комментарии
Добавить комментарий
Добавить свой комментарий:
Ваше Имя:
Ваш E-Mail:
  • bowtiesmilelaughingblushsmileyrelaxedsmirk
    heart_eyeskissing_heartkissing_closed_eyesflushedrelievedsatisfiedgrin
    winkstuck_out_tongue_winking_eyestuck_out_tongue_closed_eyesgrinningkissingstuck_out_tonguesleeping
    worriedfrowninganguishedopen_mouthgrimacingconfusedhushed
    expressionlessunamusedsweat_smilesweatdisappointed_relievedwearypensive
    disappointedconfoundedfearfulcold_sweatperseverecrysob
    joyastonishedscreamtired_faceangryragetriumph
    sleepyyummasksunglassesdizzy_faceimpsmiling_imp
    neutral_faceno_mouthinnocent
Введите два слова, показанных на изображении: *
Похожие новости:
07.03.2019
Компания Samsung сообщила о начале массового внедрения магниторезистивной памяти MRAM. Полупроводниковый гигант намерен производить микросхемы eMRAM для микроконтроллеров, устройств «интернета вещей», систем искусственного интеллекта и так далее.
19.07.2018
В прошлом году Intel и Micron вместе разработали новый класс энергонезависимой памяти 3D XPoint. Сейчас её производят на фабрике Intel-Micron Flash Technologies (IMFT) в штате Юта, США. Однако компании намерены продолжать разработку.
30.07.2015
Вчера компании Intel и Micron представили новую энергонезависимую память 3D Xpoint — первую действительно новую категорию памяти за последние 25 лет, если верить сайту Intel. По заявлению разработчиков, 3D Xpoint быстрее памяти NAND на три порядка
09.04.2015
«GlobalFoundries объявила о стратегическом сотрудничестве с Samsung [в области освоения 14-нм технологического процесса], одной из самых передовых норм производства [микросхем] в отрасли», — говорится в ежегодном отчёте Mubadala, владельце
Наши партнеры:
выбрать фон