Samsung начала производить микросхемы памяти LPDDR5 на 12 Гбит для смартфонов
Корпорация Samsung объявила о начале серийного выпуска микросхем памяти LPDDR5 DRAM плотностью 12 Гбит. Это первый подобный случай в отрасли, а сами микросхемы предназначены для топовых смартфонов.
В компании утверждают, что новая память «оптимизирована для того, чтобы сделать возможной поддержку 5G и функций ИИ в будущих смартфонах». Модули памяти на основе микросхем начнут производить уже в июле. А до конца года ожидается появление микросхем с плотностью 16 Гбит.
Новая память обеспечивает передачу данных со скоростью 5500 Мбит/сек. Это примерно в 1,3 раза больше, чем у LPDDR4X (4266 Мбит/сек). Также обещано уменьшение энергопотребления на треть.
Пока что не заявлено, какие смартфоны получат новую память, но, скорее всего, это будут поначалу фирменные флагманы. Хотя не исключено, что первыми на рынок выйдут и китайские топовые модели.
В компании утверждают, что новая память «оптимизирована для того, чтобы сделать возможной поддержку 5G и функций ИИ в будущих смартфонах». Модули памяти на основе микросхем начнут производить уже в июле. А до конца года ожидается появление микросхем с плотностью 16 Гбит.
Новая память обеспечивает передачу данных со скоростью 5500 Мбит/сек. Это примерно в 1,3 раза больше, чем у LPDDR4X (4266 Мбит/сек). Также обещано уменьшение энергопотребления на треть.
Пока что не заявлено, какие смартфоны получат новую память, но, скорее всего, это будут поначалу фирменные флагманы. Хотя не исключено, что первыми на рынок выйдут и китайские топовые модели.
Понравиласть статья? Жми лайк или расскажи своим друзьям!
Комментарии
Добавить комментарий
Похожие новости:
07.03.2019
Компания Samsung сообщила о начале массового внедрения магниторезистивной памяти MRAM. Полупроводниковый гигант намерен производить микросхемы eMRAM для микроконтроллеров, устройств «интернета вещей», систем искусственного интеллекта и так далее.
19.01.2018
Компания Samsung объявила о начале серийного производства первых в мире микросхем памяти GDDR6 плотностью 16 Гбит. Чипы выпускаются по техпроцессу 10-нанометрового класса (диапазон от 10 до 19 нм) и предназначены для использования в графических
12.01.2018
Компания Samsung объявила о начале серийного производства микросхем памяти HBM2 второго поколения объёмом 8 ГБ, под кодовым названием Aquabolt. Чипы работают при напряжении 1,2 В и обеспечивают в полтора раза большую производительность по сравнению
12.08.2015
В конце прошлого года компания Samsung начала выпуск флэш-памяти 3D V-NAND, способной хранить три бита в одной ячейке. На тот момент плотность чипа составляла 128 Гбит. Сегодня корейский гигант объявил о начале массового производства первых в