Samsung представила SSD с объемом памяти 8 Тб
Дата-центры вскоре станут хранить информацию еще эффективнее. Samsung объявила о запуске SSD с рекордно большим объемом памяти — 8 Тб, при размере всего 11 на 3.05 сантиметра. Новые девайсы имеют емкость в два раза выше, чем обычные модели, используемые в серверах и ультра-тонких ноутбуках.
Новая модель включает 16 модулей NAND по 512 Гб при этом каждый состоит из 16 слоев 256-гигабитных 3-битных V-NAND чипов. Таким образом серверные центры смогут устанавливать до 576 Тб в стандартные серверные стойки.
Скорость работы SSD достигает 3100 Мб/с при чтении и 2000 Мб/с при записи — в пять и в три раза выше, чем у обычных SATA SSD.
Новая модель включает 16 модулей NAND по 512 Гб при этом каждый состоит из 16 слоев 256-гигабитных 3-битных V-NAND чипов. Таким образом серверные центры смогут устанавливать до 576 Тб в стандартные серверные стойки.
Скорость работы SSD достигает 3100 Мб/с при чтении и 2000 Мб/с при записи — в пять и в три раза выше, чем у обычных SATA SSD.
Понравиласть статья? Жми лайк или расскажи своим друзьям!
Комментарии
Добавить комментарий
Похожие новости:
07.12.2017
Компания Samsung объявила о начале производства первых в мире модулей флэш-памяти eUFS, объём которых достигает 512 ГБ. В основе накопителей, предназначенных для флагманских смартфонов и планшетов, лежат восемь шестидесятичетырёхслойных
26.02.2016
Сегодня компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства первых в отрасли встраиваемых накопителей объемом 256 ГБ, соответствующих спецификации UFS (Universal Flash Storage) 2.0. Эти накопители предназначены для следующего
27.09.2014
Компания Samsung анонсировала новые твердотельные накопители NVMe PCIe SSD, рассчитанные на использование в высокопроизводительных корпоративных серверах. Устройства хранения данных, получившие обозначение SM1715, выполнены в виде карты расширения
07.08.2014
Компания Samsung выпустила линейку твердотельных накопителей 850 Pro, рассчитанных на подключение по интерфейсу SATA 6 Гбит/с. 2,5-дюймовые SSD построены на основе 40-нм флэш-памяти типа 3D MLC V-NAND.