Micron и Intel представили флэш-память NAND с объемной компоновкой
Компании Micron и Intel только что представили флэш-память типа NAND с объемной компоновкой. В этой памяти используются ячейки с плавающим затвором, способные хранить в каждой ячейке два или три бита информации.
По словам партнеров, новая память характеризуется втрое большей плотностью по сравнению с существующей и позволяет создавать твердотельные накопители объемом более 3,5 ТБ, напоминающие по размеру пластинку жевательной резинки, и накопители объемом более 10 ТБ, имеющие стандартный типоразмера 2,5 дюйма.
Как утверждается, переход к объемной компоновке позволяет сохранить актуальность закона Мура в применении к флэш-памяти.
Переход к объемной компоновке позволяет сохранить актуальность закона Мура в применении к флэш-памяти
В ходе онлайновой презентации представитель Micron продемонстрировал кремниевую пластину с чипами новой памяти. Они состоят из 32 слоев. Плотность одного чипа типа MLC NAND равна 256 Гбит, TLC NAND — 384 Гбит.
Чипы плотностью 256 Гбит уже поставляются некоторым партнерам Micron и Intel. Очередь чипов плотностью 384 Гбит подойдет до конца весны, а в четвертом квартале этого года производители рассчитывают начать серийный выпуск обеих модификаций. Готовые изделия с новой памятью Micron и Intel надеются предложить покупателям в 2016 году. О ресурсе новой памяти производители ничего не говорят.
По словам партнеров, новая память характеризуется втрое большей плотностью по сравнению с существующей и позволяет создавать твердотельные накопители объемом более 3,5 ТБ, напоминающие по размеру пластинку жевательной резинки, и накопители объемом более 10 ТБ, имеющие стандартный типоразмера 2,5 дюйма.
Как утверждается, переход к объемной компоновке позволяет сохранить актуальность закона Мура в применении к флэш-памяти.
Переход к объемной компоновке позволяет сохранить актуальность закона Мура в применении к флэш-памяти
В ходе онлайновой презентации представитель Micron продемонстрировал кремниевую пластину с чипами новой памяти. Они состоят из 32 слоев. Плотность одного чипа типа MLC NAND равна 256 Гбит, TLC NAND — 384 Гбит.
Чипы плотностью 256 Гбит уже поставляются некоторым партнерам Micron и Intel. Очередь чипов плотностью 384 Гбит подойдет до конца весны, а в четвертом квартале этого года производители рассчитывают начать серийный выпуск обеих модификаций. Готовые изделия с новой памятью Micron и Intel надеются предложить покупателям в 2016 году. О ресурсе новой памяти производители ничего не говорят.
Понравиласть статья? Жми лайк или расскажи своим друзьям!
Комментарии
Добавить комментарий
Похожие новости:
12.08.2015
В конце прошлого года компания Samsung начала выпуск флэш-памяти 3D V-NAND, способной хранить три бита в одной ячейке. На тот момент плотность чипа составляла 128 Гбит. Сегодня корейский гигант объявил о начале массового производства первых в
30.07.2015
Вчера компании Intel и Micron представили новую энергонезависимую память 3D Xpoint — первую действительно новую категорию памяти за последние 25 лет, если верить сайту Intel. По заявлению разработчиков, 3D Xpoint быстрее памяти NAND на три порядка
07.08.2014
Компания Samsung выпустила линейку твердотельных накопителей 850 Pro, рассчитанных на подключение по интерфейсу SATA 6 Гбит/с. 2,5-дюймовые SSD построены на основе 40-нм флэш-памяти типа 3D MLC V-NAND.
18.05.2014
Накопители будут в различных по размеру вариантах, а именно в: 128, 256, 512 ГБ и 1 ТБ. Вся основа устройства это 19-нм флэш-память типа NAND MLC и контроллеры SMI. Максимальная скорость которую может развить такой диск составляет 560 МБ/с, а