Началось производство памяти Samsung eUFS 3.1
В Samsung объявили о начале массового производства новой твердотельной флэш-памяти eUFS 3.1. Ёмкость чипов составляет 512 ГБ (есть также версии на 256 и 128 ГБ), эти модули планируется использовать в смартфонах, планшетах и так далее.Отдельно отметим, что пиковая скорость последовательной записи для такой версии памяти равна 1200 МБ/с, а чтения — до 2100 МБ/с. Для сравнения, у версии eUFS 3.1 показатели составляют 410 МБ/с и 540 МБ/с соответственно.
В операциях чтения с произвольным доступом скорость заявлена на уровне 100 000 IOPS, а записи — 70 000 IOPS.
Память появится в широком ассортименте в этом году и станет основной для флагманских смартфонов компании. В будущем не исключено появление eUFS 3.1 и в моделях других производителей, а также в игровых мобильных решениях.
Понравиласть статья? Жми лайк или расскажи своим друзьям!
Комментарии
Добавить комментарий
Похожие новости:
21.02.2018
Компания Samsung представила 2,5-дюймовый твердотельный накопитель PM1643, который стал самым ёмким SSD в таком формфакторе. Объём носителя информации с интерфейсом SAS 12 Гбит/с составляет 30,72 ТБ.
11.12.2017
Компания Samsung Electronics сообщила о начале массового производства первых в отрасли флеш-модулей eUFS (embedded Universal Flash Storage) вместимостью 512 Гбайт для мобильных устройств следующего поколения.
07.12.2017
Компания Samsung объявила о начале производства первых в мире модулей флэш-памяти eUFS, объём которых достигает 512 ГБ. В основе накопителей, предназначенных для флагманских смартфонов и планшетов, лежат восемь шестидесятичетырёхслойных
07.08.2014
Компания Samsung выпустила линейку твердотельных накопителей 850 Pro, рассчитанных на подключение по интерфейсу SATA 6 Гбит/с. 2,5-дюймовые SSD построены на основе 40-нм флэш-памяти типа 3D MLC V-NAND.
