Линейка SSD Samsung 850 EVO официально анонсирована

0
1 079
Линейка SSD Samsung 850 EVO официально анонсированаКорпорация Samsung официально объявила о выпуске новой линейки твердотельных накопителей — Samsung 850 EVO. Появления этого более доступного младшего собрата анонсированного ранее Samsung 850 Pro с нетерпением ждали многие. В том числе и те, кого отвратила от покупки накопителя 840 EVO известная история с падением производительности этих дисков. Ещё летом Samsung объявила о том, что ведёт работы по созданию TLC-варианта многослойной памяти 3D V-NAND, и когда в октябре началось массовое производство этих чипов, стало ясно, что появление наследника 840 EVO не за горами.

Как и обычная память TLC NAND, многослойный вариант способен хранить три значения в ячейке против двух у MLC, и, казалось бы, все недостатки предшественника должны перекочевать и к TLC 3D V-NAND, однако, как известно, многослойная флеш-память производится с использованием менее тонких техпроцессов и обладает гораздо лучшей выносливостью, нежели традиционная планарная. Это справедливо и для нового варианта V-NAND: гарантированный ресурс моделей 850 EVO ёмкостью 120 и 250 Гбайт заявлен на уровне 75 Тбайт, а для моделей ёмкостью 500 Гбайт и 1 Тбайт он составляет уже 150 Тбайт. Это больше, чем у «народного» Crucial M550 (72 Тбайт для всех моделей), а надёжность старших моделей находится на том же уровне, что и у более дорогого Samsung 850 Pro. На все модели распространяется пятилетняя гарантия, на что сегодня идут даже не все производители SSD на базе MLC.

Диски Samsung 850 EVO ёмкостью до 500 Гбайт используют новый контроллер MGX, в то время, как сердцем главы линейки является чип MEX, тот же, что устанавливается в серии 850 Pro. Традиционно производительность памяти типа TLC невысока, но в новых SSD этот недостаток нивелируется грамотным применением фирменной технологии кешрования TurboWrite. Интересно, что вся линейка 850 EVO демонстрирует одни и те же показатели производительности при линейном чтении и записи — 540 и 520 Мбайт/с, соответственно. Аналогичная картина наблюдается и на показателях случайных операций: в сценарии 4K QD32 Samsung 850 EVO демонстрирует свыше 94 тысяч IOPS на операциях чтения и около 90 тысяч IOPS на операциях записи. При QD1 эти цифры составляют 10 и 40 тысяч IOPS. Вполне достойный показатель. И нет нужды гнаться за производительностью, переплачивая за ненужную лично вам ёмкость.

Стоимость дисков Samsung 850 EVO достаточно демократична: $100 за 120 Гбайт, $150 за 250 Гбайт, полтерабайта обойдутся будущему владельцу в $270, и, наконец, модель ёмкостью 1 Тбайт можно приобрести за $500. Таким образом, наиболее выгодными покупками являются модели ёмкостью 250 и 500 Гбайт. И беспокоиться о том, что их постигнет та же «болезнь», что и 840 EVO, не следует: в новых SSD используется новый тип памяти, новые контроллеры, и работают они, разумеется, под управлением новой прошивки. А в следующем году ожидается дальнейшее пополнение линейки Samsung 850 EVO моделями с интерфейсами mSATA и M.2.шаблоны для dle 11.2

Понравиласть статья? Жми лайк или расскажи своим друзьям!
Теги к новости:
Комментарии
Добавить комментарий
Добавить свой комментарий:
Ваше Имя:
Ваш E-Mail:
  • bowtiesmilelaughingblushsmileyrelaxedsmirk
    heart_eyeskissing_heartkissing_closed_eyesflushedrelievedsatisfiedgrin
    winkstuck_out_tongue_winking_eyestuck_out_tongue_closed_eyesgrinningkissingstuck_out_tonguesleeping
    worriedfrowninganguishedopen_mouthgrimacingconfusedhushed
    expressionlessunamusedsweat_smilesweatdisappointed_relievedwearypensive
    disappointedconfoundedfearfulcold_sweatperseverecrysob
    joyastonishedscreamtired_faceangryragetriumph
    sleepyyummasksunglassesdizzy_faceimpsmiling_imp
    neutral_faceno_mouthinnocent
Введите два слова, показанных на изображении: *
Похожие новости:
27.10.2015
Ещё летом этого года компания Samsung анонсировала новую серию твердотельных накопителей PM1725, использующих «вертикальную» флеш-память 3D V-NAND. Обладая шиной PCI Express, эти SSD могут записывать данные на скорости 1800 Мбайт/с, а скорость
12.08.2015
В конце прошлого года компания Samsung начала выпуск флэш-памяти 3D V-NAND, способной хранить три бита в одной ячейке. На тот момент плотность чипа составляла 128 Гбит. Сегодня корейский гигант объявил о начале массового производства первых в
07.12.2014
Флеш-память типа 3D V-NAND уже доказала своё право на жизнь: она не только обеспечивает большую ёмкость в сравнении с традиционными чипами MLC, но и обладает высокой надёжностью, в отличие от печально знаменитой TLC. Похоже, именно 3D V-NAND
07.08.2014
Компания Samsung выпустила линейку твердотельных накопителей 850 Pro, рассчитанных на подключение по интерфейсу SATA 6 Гбит/с. 2,5-дюймовые SSD построены на основе 40-нм флэш-памяти типа 3D MLC V-NAND.
Наши партнеры:
выбрать фон