Intel анонсировала SSD на базе QLC-памяти
Компания Intel анонсировала несколько новых накопителей для различных задач и сфер применения. Первой моделью стал NVMe-накопитель Intel SSD 665p в форм-факторе M.2 2280. Новинка получила четырёхканальный контроллер Silicon Motion SM2263, кэш DRAM и чипы 96-слойной флэш-памяти 3D NAND QLC (одна ячейка может хранить 4 бита).
Модель доступна в вариантах на 512 ГБ, 1 ТБ и 2 ТБ, для работы используется интерфейс PCI Express 3.0. По сравнению с моделью Intel SSD 660p, прирост скорости составил 40% при последовательных чтении и записи, по данным утилиты CrystalDiskMark. В случайных операциях прирост составляет 30%. В цифрах это выглядит так:
В продаже новинки появятся в ближайшие месяцы, но точные сроки и ориентировочная цена накопителей пока не сообщаются. А ещё компания рассказала, что намерена расширять производство SSD на базе 144-слойных чипов 3D NAND QLC.
Помимо этого, идёт работа над памятью NAND PLC (Penta Level Cell), которая будет содержать по пять бит в ячейке. Им приписывают дизайн с плавающим затвором, обеспечивающий более высокую надёжность хранения данных. У большинства конкурентов используются ловушки заряда.
А до конца 2020 года на рынке могут появиться модули памяти с чипами 3D XPoint второго поколения, которые компания разрабатывает самостоятельно. Правда, это пока лишь предположение. Ещё минимум год чипмейкер будет использовать память первого поколения, производимую Micron.
Модель доступна в вариантах на 512 ГБ, 1 ТБ и 2 ТБ, для работы используется интерфейс PCI Express 3.0. По сравнению с моделью Intel SSD 660p, прирост скорости составил 40% при последовательных чтении и записи, по данным утилиты CrystalDiskMark. В случайных операциях прирост составляет 30%. В цифрах это выглядит так:
В продаже новинки появятся в ближайшие месяцы, но точные сроки и ориентировочная цена накопителей пока не сообщаются. А ещё компания рассказала, что намерена расширять производство SSD на базе 144-слойных чипов 3D NAND QLC.
Помимо этого, идёт работа над памятью NAND PLC (Penta Level Cell), которая будет содержать по пять бит в ячейке. Им приписывают дизайн с плавающим затвором, обеспечивающий более высокую надёжность хранения данных. У большинства конкурентов используются ловушки заряда.
А до конца 2020 года на рынке могут появиться модули памяти с чипами 3D XPoint второго поколения, которые компания разрабатывает самостоятельно. Правда, это пока лишь предположение. Ещё минимум год чипмейкер будет использовать память первого поколения, производимую Micron.
Понравиласть статья? Жми лайк или расскажи своим друзьям!
Комментарии
Добавить комментарий
Похожие новости:
14.09.2019
Компания Patriot Memory представила две модели скоростных SSD-накопителей, поддерживающих новейший на сегодня интерфейс PCI Express 4.0. При этом поддерживается и обратная совместимость, а устройства могут работать в режиме PCI Express 3.0.
27.03.2015
Компании Micron и Intel только что представили флэш-память типа NAND с объемной компоновкой. В этой памяти используются ячейки с плавающим затвором, способные хранить в каждой ячейке два или три бита информации.
27.09.2014
Компания Samsung анонсировала новые твердотельные накопители NVMe PCIe SSD, рассчитанные на использование в высокопроизводительных корпоративных серверах. Устройства хранения данных, получившие обозначение SM1715, выполнены в виде карты расширения
07.08.2014
Компания Samsung выпустила линейку твердотельных накопителей 850 Pro, рассчитанных на подключение по интерфейсу SATA 6 Гбит/с. 2,5-дюймовые SSD построены на основе 40-нм флэш-памяти типа 3D MLC V-NAND.