В Samsung начат выпуск передовых 32-Гбайт модулей DDR4 для игровых ноутбуков
Компания Samsung Electronics сообщила о начале массового производства первых в отрасли модулей оперативной памяти DDR4 SODIMM ёмкостью 32 Гбайт, которые рассчитаны на применение в игровых портативных компьютерах.
Напомним, что изделия SODIMM по сравнению с DIMM отличаются уменьшенными габаритами. Такие модули используются в ноутбуках, а также в компьютерах небольшого форм-фактора.
Новые решения Samsung выполнены по технологии 10-нанометрового класса. На каждой стороне модулей расположено по восемь 16-гигабитных чипов DDR4 DRAM. Таким образом, суммарная ёмкость составляет 32 Гбайт. Модули функционируют на частоте до 2666 МГц.
Утверждается, что по сравнению с модулями DDR4 SODIMM ёмкостью 16 Гбайт, изготовленными по технологии 20-нанометрового класса, новые изделия обеспечивают 11-процентное увеличение производительности и приблизительно 39-процентное снижение энергопотребления.
При использовании только двух новых модулей игровые ноутбуки смогут нести на борту 64 Гбайт оперативной памяти. При этом заявленное потребление энергии подсистемы памяти составит менее 4,6 Вт в активном режиме и менее 1,4 Вт в режиме простоя.
Напомним, что изделия SODIMM по сравнению с DIMM отличаются уменьшенными габаритами. Такие модули используются в ноутбуках, а также в компьютерах небольшого форм-фактора.
Новые решения Samsung выполнены по технологии 10-нанометрового класса. На каждой стороне модулей расположено по восемь 16-гигабитных чипов DDR4 DRAM. Таким образом, суммарная ёмкость составляет 32 Гбайт. Модули функционируют на частоте до 2666 МГц.
Утверждается, что по сравнению с модулями DDR4 SODIMM ёмкостью 16 Гбайт, изготовленными по технологии 20-нанометрового класса, новые изделия обеспечивают 11-процентное увеличение производительности и приблизительно 39-процентное снижение энергопотребления.
При использовании только двух новых модулей игровые ноутбуки смогут нести на борту 64 Гбайт оперативной памяти. При этом заявленное потребление энергии подсистемы памяти составит менее 4,6 Вт в активном режиме и менее 1,4 Вт в режиме простоя.
Понравиласть статья? Жми лайк или расскажи своим друзьям!
Комментарии
Добавить комментарий
Похожие новости:
26.03.2018
Samsung Electronics на этой неделе показала модуль памяти объёмом 64 Гбайт на базе микросхем ёмкостью 16 Гбит. Продемонстрированный RDIMM предназначен для серверов общего назначения, но позже в этом году указанные чипы памяти будут использованы для
11.12.2017
Компания Samsung Electronics сообщила о начале массового производства первых в отрасли флеш-модулей eUFS (embedded Universal Flash Storage) вместимостью 512 Гбайт для мобильных устройств следующего поколения.
05.12.2014
Компания Panram Technology анонсировала новые модули оперативной памяти Ninja-V Series, соответствующие стандарту DDR4 (Double Data Rate 4). Напомним, что до сих пор в линейку Ninja-V Series входили изделия DDR4-2133 и DDR4-2400. Напряжение их
08.10.2014
Компания Kingmax сообщила о начале массового производства модулей оперативной памяти DDR4, рассчитанных на использование в системах на процессорах Intel. В представленную линейку входят решения с частотой 1866, 2133, 2400 и 3200 МГц. Напряжение