Samsung начала выпуск памяти GDDR6 плотностью 16 Гбит
Компания Samsung объявила о начале серийного производства первых в мире микросхем памяти GDDR6 плотностью 16 Гбит. Чипы выпускаются по техпроцессу 10-нанометрового класса (диапазон от 10 до 19 нм) и предназначены для использования в графических картах, автомобилях и системах искусственного интеллекта.Чипы работают при напряжении 1,35 В, что обеспечивает на 30–35% меньшее энергопотребление по сравнению с памятью GDDR5. Пропускная способность 18 Гбит/с на контакт позволяет передавать данные со скоростью 72 ГБ/с — вдвое быстрее, чем память GDDR5.
Понравиласть статья? Жми лайк или расскажи своим друзьям!
Комментарии
Добавить комментарий
Похожие новости:
12.01.2018
Компания Samsung объявила о начале серийного производства микросхем памяти HBM2 второго поколения объёмом 8 ГБ, под кодовым названием Aquabolt. Чипы работают при напряжении 1,2 В и обеспечивают в полтора раза большую производительность по сравнению
13.11.2017
Samsung готова начать производство микросхем памяти GDDR6 для графических ускорителей следующего поколения уже в начале 2018 года. Компания отметила, что чипы GDDR6 удостоились награды CES 2018 Innovation Awards и обязательно появятся на крупнейшей
25.04.2017
Компания SK Hynix представила 8-гигабитные микросхемы памяти GDDR6, они придут на смену GDDR5 и GDDR5X и станут альтернативой HBM и HBM2. Чипы будут выпускаться по технологии 2Znm — так производитель называет техпроцесс 20-нанометрового класса.
12.08.2015
В конце прошлого года компания Samsung начала выпуск флэш-памяти 3D V-NAND, способной хранить три бита в одной ячейке. На тот момент плотность чипа составляла 128 Гбит. Сегодня корейский гигант объявил о начале массового производства первых в
