Rambus уже работает над оперативной памятью DDR5
Хотя организация JEDEC обещает опубликовать окончательную версию спецификаций DDR5 только в 2018 году, Rambus ведёт разработку памяти DRAM нового поколения в своих лабораториях. Представители компании заявили, что у Rambus уже готовы первые работоспособные образцы DDR5, а массовые поставки оперативной памяти должны начаться в 2019 году.
По сравнению с DDR4, оперативная память нового поколения сможет предложить удвоенную скорость передачи данных: 51,2 ГБ/с против 25,6 ГБ/с. Рабочее напряжение снизится с 1,2 В до 1,1 В, а номинальная частота будет начинаться с отметки 4800 МГц. Кроме того, регуляторы напряжения будут располагаться на самих модулях памяти, а не на материнских платах.
По сравнению с DDR4, оперативная память нового поколения сможет предложить удвоенную скорость передачи данных: 51,2 ГБ/с против 25,6 ГБ/с. Рабочее напряжение снизится с 1,2 В до 1,1 В, а номинальная частота будет начинаться с отметки 4800 МГц. Кроме того, регуляторы напряжения будут располагаться на самих модулях памяти, а не на материнских платах.
Понравиласть статья? Жми лайк или расскажи своим друзьям!
Комментарии
Добавить комментарий
Похожие новости:
04.09.2017
Организация PCI-SIG планирует утвердить финальные спецификации интерфейса PCI Express 4.0 до конца текущего года. Учитывая, что PCI Express 3.0 появился в 2010 году, разработка нового стандарта затянулась на семь лет, тогда как на переход от PCI
02.09.2017
Организация PCI-SIG планирует утвердить финальные спецификации интерфейса PCI Express 4.0 до конца текущего года. Учитывая, что PCI Express 3.0 появился в 2010 году, разработка нового стандарта затянулась на семь лет, тогда как на переход от PCI
22.05.2017
В конце марта Intel начала продажи первых накопителей с памятью 3D XPoint, доступных как в формфакторе M.2 2280, так и в виде карт расширения PCIe. Теперь же компания продемонстрировала модули памяти DIMM на базе 3D XPoint, которые со временем могут
25.04.2017
Компания SK Hynix представила 8-гигабитные микросхемы памяти GDDR6, они придут на смену GDDR5 и GDDR5X и станут альтернативой HBM и HBM2. Чипы будут выпускаться по технологии 2Znm — так производитель называет техпроцесс 20-нанометрового класса.