SK Hynix показала модуль памяти DDR4 на 128 ГБ
Компания SK Hynix продемонстрировала первый модуль оперативной памяти DDR4, объем которого составляет 128 ГБ. Новинка построена на базе микросхем плотностью 8 Гбит с многослойной компоновкой, выпускаемых по 20-нм техпроцессу.Сообщается, что рабочее напряжение составляет 1,2 В, частота — 2133 МГц, разрядность шины — 64 бита, пропускная способность — 17 ГБ/с. Модули памяти ориентированы на серверное использование, а массовое их производство намечено на первую половину следующего года. Если верить прогнозам аналитиков, в 2016 году DDR4 должна стать доминирующим стандартом реализуемой оперативной памяти.
Понравиласть статья? Жми лайк или расскажи своим друзьям!
Комментарии
Добавить комментарий
Похожие новости:
28.08.2015
Разработка стандарта оперативной памяти типа DDR4 заняла порядка девяти лет, необычайно долго по меркам современных технологий. Тем не менее, принятие новой технологии рынком будет весьма скорым. По предсказаниям, уже в следующем году DDR4 станет
10.02.2015
Недавно компания LG представила G Flex 2 с памятью DDR4, а вслед за конкурентом запуск новой технологии планирует Samsung. Ранее компания SK Hynix заявила, что память DDR4 увеличит в два раза пропускную способность по сравнению с DDR3, при этом
05.12.2014
Компания Panram Technology анонсировала новые модули оперативной памяти Ninja-V Series, соответствующие стандарту DDR4 (Double Data Rate 4). Напомним, что до сих пор в линейку Ninja-V Series входили изделия DDR4-2133 и DDR4-2400. Напряжение их
08.10.2014
Компания Kingmax сообщила о начале массового производства модулей оперативной памяти DDR4, рассчитанных на использование в системах на процессорах Intel. В представленную линейку входят решения с частотой 1866, 2133, 2400 и 3200 МГц. Напряжение
