Samsung приступила к массовому производству микросхем флэш-памяти 3D V-NAND плотностью 256 Гбит
В конце прошлого года компания Samsung начала выпуск флэш-памяти 3D V-NAND, способной хранить три бита в одной ячейке. На тот момент плотность чипа составляла 128 Гбит.Сегодня корейский гигант объявил о начале массового производства первых в отрасли микросхем флэш-памяти 3D V-NAND плотностью 256 Гбит. Это соответствует объёму памяти одной микросхемы 32 ГБ. Количество слоёв при этом достигает 48.
Согласно данным Samsung, энергопотребление новых микросхем на 30% меньше, нежели у представленных в прошлом году. Производительность при этом выросла примерно на 40%. Новые микросхемы могут использоваться как для мобильной техники, так и для создания твердотельных накопителей.
Понравиласть статья? Жми лайк или расскажи своим друзьям!
Комментарии
Добавить комментарий
Похожие новости:
26.02.2016
Сегодня компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства первых в отрасли встраиваемых накопителей объемом 256 ГБ, соответствующих спецификации UFS (Universal Flash Storage) 2.0. Эти накопители предназначены для следующего
27.03.2015
Компании Micron и Intel только что представили флэш-память типа NAND с объемной компоновкой. В этой памяти используются ячейки с плавающим затвором, способные хранить в каждой ячейке два или три бита информации.
07.12.2014
Флеш-память типа 3D V-NAND уже доказала своё право на жизнь: она не только обеспечивает большую ёмкость в сравнении с традиционными чипами MLC, но и обладает высокой надёжностью, в отличие от печально знаменитой TLC. Похоже, именно 3D V-NAND
07.08.2014
Компания Samsung выпустила линейку твердотельных накопителей 850 Pro, рассчитанных на подключение по интерфейсу SATA 6 Гбит/с. 2,5-дюймовые SSD построены на основе 40-нм флэш-памяти типа 3D MLC V-NAND.
